Одна из самых главных новостей этого года. Последние лет так десять уч

Одна из самых главных новостей этого года. Последние лет так десять учёные хотели сделать что-то с графеном, чтобы он стал полупроводником, но устойчиво никак не получалось. А теперь получилось. Вот из Nature:

"Here we demonstrate that semiconducting epigraphene (SEG) on single-crystal silicon carbide substrates has a band gap of 0.6 eV and room temperature mobilities exceeding 5,000 cm2 V−1 s−1, which is 10 times larger than that of silicon and 20 times larger than that of the other two-dimensional semiconductors."

Читать вот тут, но там пейволл. Предыдущий интересный отчёт в доступе тут, в конце преимущества применения, по которым уже прослеживается, что поменяется в первую очередь. Вот главное оттуда:

"Seamless ballistic graphene networks that are lithographically patterned on a single graphene sheet represent a revolutionary paradigm shift and, in principle, enables quantum electronics that explicitly utilizes the wave properties of electrons. The work presented here, combined with the recent discovery of epigraphene’s zero-mode edge state[10, 11] is a major leap in that direction"

«SEG has numerous impotant advantages over all other 2D semiconductors. Summarizing: (1) It does not need to be transferred since it is cleanly produced on a relatively inexpensive commercial single crystal SiC substrate on which it is atomically aligned; (2) It is patternable using conventional methods; (3) It is chemically, mechanically and thermally stable; (4) It seamlessly connects to QFSG, eliminating contact resistances and fragile contacts; (5) Seamless networks can preserve phase coherence between devices so that phase coherent electronics is feasible; (6) Its 0.6 eV bandgap is suitable for digital electronics; (7) Its mobility is a factor of 10 larger than other 2D semiconductors; (8) It is atomically thin, making it ideal for ultrathin field effect transistors. (9)  The SiC substrate is already an important electronic material which, in contrast to Si, is compatible with THz electronics.»

Самое главное — скоро можно будет делать вообще другую электронику.

#медленная_зона #UDP